弗洛斯菲亚有限公司
公司简介（截至 2021 年 10 月）
- 京都大学风险投资公司，成立于2011年3月31日
- 资本为 42 亿日元，包括储备金主要股东：三菱重工、安川电机、DENSO、兄弟工业等
- 商家详细信息① 使用下一代半导体“氧化镓”开发和制造 GaO® 器件②利用成膜合成技术平台Mist Dry®法开发和制造电子工业新材料
- 在全球范围内申请了 600 多项专利
- ISO9001:2015、ISO14001:2015 认证
- 半无晶圆厂模式允许垂直开展业务
什么是 GaO® 功率器件
氧化镓是一种尖端半导体材料，近年来因其优异的材料性能而开始引起人们的关注。
FLOSFIA一直致力于开发人工合成自然界中不存在的氧化镓特殊晶体结构“刚玉结构”的技术，并将其应用于功率器件。
这种刚玉结构的氧化镓在“瓦里加品质因数”中表现出压倒性的物理特性，表明材料具有低损耗潜力，约为传统材料硅的 7,000 倍，约为碳化硅的 20 倍（根据 FLOSFIA 估算），并且在安装在电动汽车、工业设备和小型消费电源等各种设备中时，预计将具有大幅降低功率转换损耗的效果。
GaO®功率器件产品特性
● 世界首款刚玉型氧化镓GaO®功率器件
● 第一个产品SBD：肖特基势垒二极管 Vrm=600V/If=10A 封装：TO-220
超越其他材料的材料特性
| 材质 | 硅 | 4H-碳化硅 | 氮化镓 | 氧化镓®(α-Ga2O3） |
|---|---|---|---|---|
| 带隙例如（eV） | 1.1 | 3.3 | 3.4 | 5.3 |
| 巴里加性能指数 | 1 | 340 | 870 | 6,726（估计） |
实现世界最低导通电阻
超快反向恢复时间
评估板现已发售
●未来产品 2018 年成功验证常关 MOSFET 的概念 成就 ■ 成功转换为常闭状态！ ■迁移率超过SiC ■ 作为国家项目推广
对可持续发展目标的贡献
GaO® 是 FLOSFIA Co, Ltd 的注册商标